[实用新型]发光二极管及其芯片有效
| 申请号： | 201820743497.X | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208596701U | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 魏振东;李俊贤;吴奇隆;刘英策;周弘毅 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一发光二极管及其芯片，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞，一P型电极的一部分在穿过这些所述孔洞后被电连接于所述透明导电层，一N型电极被电连接于所述N型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电层 孔洞 钝化保护层 发光二极管 芯片 电连接 本实用新型 依次层叠 衬底 源区 穿过 | ||
【主权项】：
1.一发光二极管的芯片，其特征在于，包括：一衬底；一外延结构，其中所述外延结构包括一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，其中所述衬底、所述N型半导体层、所述有源区和所述P型半导体层依次层叠；一透明导电层，其中所述透明导电层层叠于所述外延结构的所述P型半导体层；一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个孔洞，其中所述钝化保护层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化保护层的这些所述孔洞分别对应于所述透明导电层的不同位置；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述外延结构的所述N型半导体层，所述P型电极的一部分在穿过所述钝化保护层的这些所述孔洞后被电连接于所述外延结构的所述透明导电层。
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