[实用新型]发光二极管及其芯片

说明书

本实用新型公开了一发光二极管及其芯片，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞，一P型电极的一部分在穿过这些所述孔洞后被电连接于所述透明导电层，一N型电极被电连接于所述N型半导体层。

技术领域

本实用新型涉及一LED芯片，特别涉及一发光二极管及其芯片。

背景技术

由于发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)具有亮度高、寿命长、体积小和耗能量低等优点，因此，发光二极管被视为新一代的照明工具。然而，在现阶段，发光二极管的芯片仍然存在着发光效率低的问题，因此，如何提高发光二极管的芯片的发光效率和解决在提高发光二极管的芯片的发光效率的过程中产生的一系列问题已经成为了最重要的研究课题之一。

附图1至图7B示出了现有的发光二极管的芯片，其中所述芯片包括一衬底 10P、一外延结构20P、一电流阻挡层30P、一透明导电层40P、一金属电极组 50P以及一钝化保护层60P，并且所述芯片具有一N型层裸露部70P。所述外延结构20P包括一N型半导体层21P、一有源区22P以及一P型半导体层23P，其中所述N型半导体层21P、所述有源区22P和所述P型半导体层23P依次自所述衬底10P生长，以使所述衬底10P和所述外延结构20P的所述N型半导体层 21P、所述有源区22P和所述P型半导体层23P依次层叠。现有的所述芯片的制造过程为：

(a)在所述外延结构20P的所述P型半导体层23P形成第一光刻胶层，对所述外延结构20P进行干法蚀刻以形成自所述P型半导体层23P经所述有源区 22P延伸至所述N型半导体层21P的所述N型层裸露部70P，从而使所述N型半导体层21P的一部分被暴露，去除所述第一光刻胶层，参考附图3A和图3B；

(b)在所述外延结构20P的所述P型半导体层23P形成第二光刻胶层，对所述外延结构20P进行湿法蚀刻，在所述外延结构20P上形成层叠于所述P型半导体层23P的所述电流阻挡层30P，去除所述第二光刻胶层，参考附图4A和图4B；

(c)形成层叠于所述外延结构20P的所述P型半导体层23P和包覆所述电流阻挡层30P的所述透明导电层40P，在所述透明导电层40P上形成第三光刻胶层，对所述透明导电层40P进行蚀刻以去除所述透明导电层40P的部分区域，从而使所述电流阻挡层30P的一部分被暴露，去除所述第三光刻胶层，参考附图 5A和图5B；

(d)在所述透明导电层40P上形成第四光刻胶层，在所述透明导电层40P 上和所述N型半导体层21P分别形成所述金属电极组50P的一P型电极51P和一N型电极52P，其中所述P型电极51P电连接于所述透明导电层40P，所述N 型电极52P电连接于所述N型半导体层21P，去除所述第四光刻胶层，参考附图 6A和图6B；以及

(e)在所述P型电极51P和所述N型电极52P上制作所述钝化保护层60P，形成第五光刻胶层于所述钝化保护层60P，对所述钝化保护层60P进行蚀刻以使所述P型电极51P的一部分和所述N型电极52P的一部分被暴露，去除所述第五光刻胶层，以制得所述芯片，参考附图7A和图7B。

在现有的所述芯片中仍然存载着诸多的缺陷。首先，所述芯片需要在所述外延结构20P的所述P型半导体层23P上生长所述电流阻挡层30P，这不仅会增加所述芯片的材料制成和尺寸厚度，而且还会延长所述芯片的制作工艺而影响所述芯片的产能，进而增加所述芯片的生产成本。其次，所述P型电极51P和所述透明导电层40P之间的粘附性较弱，并且所述P型电极51P和所述透明导电层40P 之间不能完全接触，需要为所述P型电极51P和所述透明导电层40P设计开孔，导致所述芯片的成本增加。另外，在所述芯片的边缘，所述电流阻挡层30P隔离所述P型电极51P和所述透明导电层40P，导致所述芯片的边缘位置几乎没有电流注入，进而导致所述芯片的边缘发光微弱而影响所述芯片的发光效率。

实用新型内容