[实用新型]发光二极管及其芯片

权利要求书

1.一发光二极管的芯片，其特征在于，包括：

一衬底；

一外延结构，其中所述外延结构包括一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，其中所述衬底、所述N型半导体层、所述有源区和所述P型半导体层依次层叠；

一透明导电层，其中所述透明导电层层叠于所述外延结构的所述P型半导体层；

一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个孔洞，其中所述钝化保护层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化保护层的这些所述孔洞分别对应于所述透明导电层的不同位置；以及

一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述外延结构的所述N型半导体层，所述P型电极的一部分在穿过所述钝化保护层的这些所述孔洞后被电连接于所述外延结构的所述透明导电层。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中所述芯片具有一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述钝化保护层经所述透明导电层以及所述外延结构的所述P型半导体层和所述有源区延伸至所述外延结构的所述N型半导体层，以使所述N型半导体层的一部分被暴露在所述N型层裸露部。

3.根据权利要求2所述的芯片，其中所述电极组的所述N型电极以所述N型电极形成在所述外延结构的所述N型半导体层的方式被电连接于所述N型半导体层。

4.根据权利要求2所述的芯片，其中所述电极组的所述P型电极以所述P型电极形成在所述钝化保护层的方式被电连接于所述外延结构的所述P型半导体层。

5.根据权利要求1至4中任一所述的芯片，其中所述P型电极具有多个手指件，其中所述P型电极的这些所述手指件形成在所述钝化保护层的这些所述孔洞中，并且所述P型电极的这些所述手指件分别在所述透明导电层的不同位置被电连接于所述透明导电层。

6.根据权利要求5所述的芯片，其中所述P型电极的这些所述手指件包括一第一组手指件和一第二组手指件，所述第一组手指件和所述第二组手指件分别沿着所述芯片的边缘从所述芯片的第二端部延伸至第一端部。

7.根据权利要求5所述的芯片，其中所述P型电极的这些所述手指件包括一第一组手指件、一第二组手指件以及一第三组手指件，所述第一组手指件和所述第二组手指件分别沿着所述芯片的边缘从所述芯片的第二端部延伸至第一端部，所述第三组手指件被保持在所述芯片的第二端部。

8.根据权利要求1至4中任一所述的芯片，其中所述衬底是蓝宝石衬底、硅衬底或者碳化硅衬底。

9.根据权利要求5所述的芯片，其中所述衬底是蓝宝石衬底、硅衬底或者碳化硅衬底。

10.根据权利要求6所述的芯片，其中所述衬底是蓝宝石衬底、硅衬底或者碳化硅衬底。

11.根据权利要求7所述的芯片，其中所述衬底是蓝宝石衬底、硅衬底或者碳化硅衬底。

12.根据权利要求1至4中任一所述的芯片，其中所述外延结构的所述N型半导体层和所述P型半导体层均是氮化镓层。

13.根据权利要求5所述的芯片，其中所述外延结构的所述N型半导体层和所述P型半导体层均是氮化镓层。

14.根据权利要求6所述的芯片，其中所述外延结构的所述N型半导体层和所述P型半导体层均是氮化镓层。

15.根据权利要求7所述的芯片，其中所述外延结构的所述N型半导体层和所述P型半导体层均是氮化镓层。

16.根据权利要求8所述的芯片，其中所述外延结构的所述N型半导体层和所述P型半导体层均是氮化镓层。