[实用新型]4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型提出了4H‑SiC的绝缘栅双极型晶体管，其包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N⁺发射极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；两个沟槽，每个沟槽开设在N⁺发射极、P阱区和漂移区内且贯穿N⁺发射极和P阱区，并且沟槽的侧壁都不垂直于绝缘栅双极型晶体管的上表面；沟槽氧化层，设置在两个沟槽中且覆盖每个沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个多晶硅栅极填充在沟槽氧化层远离漂移区的一侧；N缓冲层，设置在漂移区远离P阱区的一侧；P⁺集电极，设置在N缓冲层远离漂移区的一侧；其中，漂移区、P阱区、N⁺发射极、N缓冲层和P⁺集电极都由4H‑SiC形成。本实用新型所提出的绝缘栅双极型晶体管，根据4H‑SiC偏角度设计出倾斜的沟槽结构，从而降低IGBT的导通压降。

主权项

1.一种4H‑SiC的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区，并且，所述沟槽的侧壁都不垂直于所述绝缘栅双极型晶体管的上表面；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；N缓冲层，所述N缓冲层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧；P+集电极，所述P+集电极设置在所述N缓冲层远离所述漂移区的一侧；其中，所述漂移区、所述P阱区、所述N+发射极、所述N缓冲层和所述P+集电极都由4H‑SiC形成。