[实用新型]4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201820585176.1 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN208077983U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/16;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移区 绝缘栅双极型晶体管 发射极 缓冲层 本实用新型 多晶硅栅极 沟槽氧化层 集电极 漂移 导通压降 沟槽结构 角度设计 不垂直 上表面 侧壁 填充 贯穿 覆盖 | ||
1.一种4H-SiC的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：
漂移区；
P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；
N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；
两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区，并且，所述沟槽的侧壁都不垂直于所述绝缘栅双极型晶体管的上表面；
沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；
两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；
N缓冲层，所述N缓冲层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧；
P+集电极，所述P+集电极设置在所述N缓冲层远离所述漂移区的一侧；
其中，所述漂移区、所述P阱区、所述N+发射极、所述N缓冲层和所述P+集电极都由4H-SiC形成。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的上表面的法线方向与4H-SiC晶体的<0001>取向的偏角度为4°，且所述沟槽的侧壁的法线方向为4H-SiC晶体的或取向。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，进一步包括：
绝缘层，所述绝缘层设置在所述两个多晶硅栅极远离所述漂移区的一侧。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的宽度为0.5～1.5微米。
5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的宽度为0.8微米。
6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的底壁与所述P阱区靠近所述漂移区的上表面之间的间距为0.2～1微米。
7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的底壁与所述P阱区靠近所述漂移区的上表面之间的间距为0.5微米。
8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述两个沟槽之间的间距为1～3微米。
9.根据权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述两个沟槽之间的间距为2微米。
10.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P+集电极中的P+离子浓度不小于5*1018/cm3。
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