[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201820468143.9 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208240667U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 林育圣;闻叶廷;G·常 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/482;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括：预制的导电部分；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及耦接到所述两个或更多个MOSFET的背面金属；其中所述导电部分可耦接到所述背面金属，并且可被配置为在所述两个或更多个MOSFET的工作期间将所述两个或更多个MOSFET电耦接在一起。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体封装。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体封装。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装结构 本实用新型 半导体封装 导电 背面 金属氧化物半导体场效应晶体管 金属 工作期间 技术效果 物理方式 预制的 电耦 耦接 改进 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于：预制的导电部分，包括铝和铜中的一个；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及耦接到所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的背面金属；其中所述导电部分耦接到所述背面金属，并且被配置为在所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的工作期间将所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体MOSFET电耦接在一起。
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