[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包括：预制的导电部分；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及耦接到所述两个或更多个MOSFET的背面金属；其中所述导电部分可耦接到所述背面金属，并且可被配置为在所述两个或更多个MOSFET的工作期间将所述两个或更多个MOSFET电耦接在一起。本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体封装。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体封装。

本申请是申请日为2017年8月18日、申请号为201721037508.4，实用新型名称为“半导体封装结构”的实用新型专利申请的分案申请。

技术领域

本文件的各方面整体涉及半导体封装结构。

背景技术

通常，通过蒸镀或溅射来对半导体管芯实施背面金属化。背面金属化通常有助于焊料附接和传热装置在在半导体管芯封装方面的应用。

实用新型内容

本实用新型解决的一个技术问题是改进半导体封装。

半导体封装结构的实施方式可包括：预制的导电部分；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及耦接到所述两个或更多个MOSFET的背面金属；其中所述导电部分可耦接到所述背面金属，并且可被配置为在所述两个或更多个MOSFET的工作期间将所述的两个或多个MOSFET电耦接在一起。

半导体封装结构的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任何一者：

可通过将导电部分耦接到背面金属来减小所述的两个或更多个MOSFET的导通电阻。

在晶圆的加工期间，导电部分可能不会形成为背面金属的一部分。

导电部分的厚度可在25微米至125微米之间。

导电部分可包括铜、铝、银、金、钛中的一种，以及它们的任何组合。

导电部分可包括铜。

导电部分可以使用银烧结膏、焊料、导电环氧树脂，或者它们的任何组合耦接到背面金属。

背面金属可以包括钛、镍和银合金。

本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体封装。

对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式以及附图并通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。

根据本实用新型的一个方面，提供了一种半导体封装结构，其特征在于：预制的导电部分，包括铝和铜中的一个；通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及耦接到所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的背面金属；其中所述导电部分耦接到所述背面金属，并且被配置为在所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的工作期间将所述两个或更多个MOSFET电耦接在一起。

在一个实施例中，通过将所述导电部分耦接到所述背面金属来减小所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的导通电阻。

在一个实施例中，在晶圆的加工期间所述导电部分不形成为所述背面金属的一部分。

在一个实施例中，所述导电部分的厚度在25微米至125微米之间。

在一个实施例中，所述导电部分使用银烧结膏、焊料、导电环氧树脂及其任何组合中的一者耦接到所述背面金属。

在一个实施例中，所述背面金属包括钛、镍和银合金。