[实用新型]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201820468143.9 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208240667U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 林育圣;闻叶廷;G·常 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/482;H01L25/07;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体封装结构 本实用新型 半导体封装 导电 背面 金属氧化物半导体场效应晶体管 金属 工作期间 技术效果 物理方式 预制的 电耦 耦接 改进 配置 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于：
预制的导电部分，包括铝和铜中的一个；
通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及
耦接到所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的背面金属；
其中所述导电部分耦接到所述背面金属，并且被配置为在所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的工作期间将所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体MOSFET电耦接在一起。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中通过将所述导电部分耦接到所述背面金属来减小所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的导通电阻。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中在晶圆的加工期间所述导电部分不形成为所述背面金属的一部分。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电部分的厚度在25微米至125微米之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电部分使用银烧结膏、焊料、导电环氧树脂及其任何组合中的一者耦接到所述背面金属。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述背面金属包括钛、镍和银合金。
7.一种半导体封装结构，其特征在于：
预制的导电部分，包括铝和铝合金中的一个；
通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及
耦接到所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的背面金属；
其中所述导电部分耦接到所述背面金属，并且被配置为在所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的工作期间将所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体MOSFET电耦接在一起。
8.一种半导体封装结构，其特征在于：
预制的导电部分，包括铜和铜合金中的一个；
通过物理方式耦接在一起的两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；以及
耦接到所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的背面金属；
其中所述导电部分耦接到所述背面金属，并且被配置为在所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的工作期间将所述两个或更多个金属氧化物半导体场效应晶体MOSFET电耦接在一起。
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