[发明专利]半导体组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811625563.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384148A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李立民;徐献松 | 申请（专利权）人： | 无锡旭康微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市蠡园开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体组件及其制造方法。半导体组件的制造方法至少包括下列步骤。形成一磊晶层于一基材上，磊晶层被区分为至少一组件区以及一静电防护区。在组件区形成一第一基体区，以及在静电防护区形成一第二基体区。在磊晶层的表面上形成位于静电防护区的一叠层结构，叠层结构包括一绝缘层以及位于绝缘层上的一半导体层，其中，半导体层具有一第一重掺杂区，再形成至少一第二重掺杂区，两者共同形成一静电防护层，其中，静电防护层位于第二基体区上方，且静电防护层完全重叠于所述第二基体区范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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