[发明专利]高密度相变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高密度相变存储器，自下而上包括：肖特基二极管，相变层和上电极，肖特基二极管包括半导体层和与半导体层形成肖特基势垒的金属层，金属层同时作为相变层的下电极；半导体层，金属层，相变层和上电极为自下而上相叠设的平层结构，或者，半导体层，相变层和上电极为自下而上设置的平面结构，金属层相连设有平面的底面和竖直的侧壁，金属层通过其底面与其下方的半导体层相叠设，并通过其侧壁与其上方的相变层相接，相变层与上电极相叠设。本发明能有效提高相变存储器单元的密度，并可减少光刻次数，简化工艺，降低制造成本。本发明还公开了上述高密度相变存储器的制备方法。

主权项

1.一种高密度相变存储器，自下而上包括：肖特基二极管，相变层和上电极，其特征在于，所述肖特基二极管包括半导体层和与所述半导体层形成肖特基势垒的金属层，所述金属层同时作为所述相变层的下电极。