[发明专利]一种FinFET侧墙的制作方法有效
| 申请号： | 201811560774.4 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109599342B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;左青云 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤S04：在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05：去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06：去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。本发明的工艺可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，明显降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET侧墙的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤S04：在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05：去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06：去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
