[发明专利]在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法有效
| 申请号： | 201811559236.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341648B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 魏同波;常洪亮;闫建昌;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在图形衬底生长氮化物薄膜结构及其方法，其方法包括：在图形衬底的凹洞图形区域内生长石墨烯；在生长有石墨烯的图形衬底上生长具有空气孔隙的III族氮化物薄膜；其中，空气孔隙形成于所述图形衬底与所述III族氮化物薄膜之间，所述石墨烯上方。本发明在外延生长前，先插入了一层选区生长的表面完整度良好的单层石墨烯插入层，并且利用金属原子在无缺陷石墨烯上表面吸附率极低的特点，诱导氮化物只在平面区域成核并以三维模式生长，最终生长成在氮化物与图形衬底有极大空气孔隙的平滑薄膜，该实施工艺简单，适合在氮化物薄膜生长及光电器件和电子器件制造领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 生长 氮化物 薄膜 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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