[发明专利]非平面半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811446592.4 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110021664B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈志良;赖志明;蔡庆威;杨超源;曾健庭;江国诚;刘如淦;吴伟豪;林义雄;张家豪;周雷峻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非平面半导体器件，包括：介电区，形成在衬底上；多个鳍，从所述介电区处突出；多个端子区，位于所述介电区上；以及导轨导体，位于所述介电区内并且位于所述衬底上方，所述导轨导体电连接至所述多个端子区中的第一端子区。
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