[发明专利]半导体器件

摘要

本申请提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案、分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案、以及分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可以包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段。所述第一段可以包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分。所述第二栅极电极可以包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间的第二段。所述第二段可以包括朝向所述第二段的中心凹陷的凹入部分。

主权项

1.一种半导体器件，包括：位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案，所述第一沟道图案包括第一半导体图案和在所述第一半导体图案上方的第二半导体图案，所述第二沟道图案包括第三半导体图案和在所述第三半导体图案上方的第四半导体图案；分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其中所述第一源极/漏极图案和所述第二源极/漏极图案具有彼此不同的导电率；以及分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极，其中所述第一栅极电极和所述第二栅极电极沿第一方向延伸，其中，所述第一栅极电极包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段，所述第一段包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分，并且其中，所述第二栅极电极包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图案之间的第二段，所述第二段包括朝向所述第二段的中心凹陷的凹入部分。