[发明专利]一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811440464.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509827B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吕天刚;王跃飞;莫宜颖;徐炳健;杨永发;吴乾;汤乐明;任荣斌 | 申请（专利权）人： | 鸿利智汇集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/56;H01L33/60 |
| 代理公司： | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人： | 刘刚成 |
| 地址： | 510890 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种深紫外半导体发光二极管器件，包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层，本发明中，设计了一种全新的封装结构，不仅整体结构极为简单，相较于现有技术中的工艺结构，整个制作工艺简单易行，降低了制备成本，反射层可以很好的阻挡紫外光的穿透，提高了LED产品的可靠性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 半导体 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层。
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