[发明专利]一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法

说明书

一种深紫外半导体发光二极管器件，包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层，本发明中，设计了一种全新的封装结构，不仅整体结构极为简单，相较于现有技术中的工艺结构，整个制作工艺简单易行，降低了制备成本，反射层可以很好的阻挡紫外光的穿透，提高了LED产品的可靠性和使用寿命。

技术领域

本发明涉及一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

在紫外线中,波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外LED(DUVLED)因其高效、环保、节能、可靠等优势,在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外LED所无法比拟的。

由于深紫外LED的波长较短,能量很强,导致材料性能劣化严重,所以对封装技术和封装材料提出了极高的要求。但是,在传统的深紫外LED封装技术中，如专利申请号201310403054.8公开的一种白光LED封装工艺，由于粘合层等在材质方面存在一定缺陷,导致UV光线极易被粘合层吸收,使得粘合层容易变黄、老化等,进而导致深紫外LED存在发光功率不高、散热性差，可靠性低以及使用寿命短等诸多缺点。

目前的无机封装技术中，存在生产效率低、良品率低、成本高，规模化生产困难的问题。比如，申请号CN201611256165公开了一种紫外LED封装方法，其中包括在基板四周设置有凸台，凸台上表面设置用于放置石英透镜的台阶式支撑面，在石英透镜与台阶式支撑面的相接触的间隙上涂抹粘合剂，然后通过回流焊、平行封焊或激光焊接的方式进行固定，以上的工艺程序较多，增加了工艺成本，也提高了生产难度，降低了生产效率和良品率。

再比如，申请号CN201611228510公开了一种深紫外LED封装器件及其制备方法，其中在金属基板的上表面制作第一金属共晶键合层，光学元件通过所述第一金属共晶键合层以共晶键结合方式固定于所述金属基板上，以上工艺的光学元件需要通过共晶键结合方式的固定在金属基板上，增加了工艺成本，也提高了生产难度，降低了生产效率和良品率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种结构设计合理、生产效率高的深紫外半导体发光二极管器件。

为了解决上述技术问题，本发明包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层。

本发明中，设计了一种全新的封装结构，不仅整体结构极为简单，相较于现有技术中的工艺结构，整个制作工艺简单易行，降低了制备成本，反射层可以很好的阻挡紫外光的穿透，提高了LED产品的可靠性和使用寿命。

作为本发明的进一步改进，所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热固性塑料外壳。

作为本发明的进一步改进，所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热塑性塑料外壳。

作为本发明的进一步改进，所述反射层为紫外截至膜层。

作为本发明的进一步改进，所述基板为金属基板或陶瓷基板。

作为本发明的进一步改进，所述透镜包括将与碗口盖住的第一透镜部，在第一透镜部上设有处于碗杯内腔的第二透镜部，所述反射层设在第二透镜部处的外壁面。