[发明专利]一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811440464.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109509827B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吕天刚;王跃飞;莫宜颖;徐炳健;杨永发;吴乾;汤乐明;任荣斌 | 申请（专利权）人： | 鸿利智汇集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/56;H01L33/60 |
| 代理公司： | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人： | 刘刚成 |
| 地址： | 510890 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 半导体 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层；
所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热塑性塑料外壳。
2.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述反射层为紫外截至膜层。
3.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述基板为金属基板或陶瓷基板。
4.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述透镜包括将与碗口盖住的第一透镜部，在第一透镜部上设有处于碗杯内腔的第二透镜部，所述反射层设在第二透镜部处的外壁面。
5.一种深紫外半导体发光二极管器件的制备方法，其特征在于：
S1、将紫外芯片固定在基板上，同时使紫外芯片与基板的正极区域和负极区域连接；
S2、在基板上对应紫外芯片位置处通过注塑的方式设置第一塑料外壳，并使第一塑料外壳形成碗杯，紫外芯片处于碗杯内；
S3、在第一塑料外壳处通过注塑的方式设置第二塑料外壳，且第二塑料外壳将紫外芯片围住；
S4、在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设置反射层，然后通过注塑的方式使透镜与第二塑料外壳连接，并使透镜将碗口盖住；
S5、成型烘烤，然后切割成单个器件；
所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热塑性塑料外壳。
6.按权利要求5所述的深紫外半导体发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述反射层为紫外截至膜层。
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