[发明专利]一种多波长发光二极管晶圆片及其制备方法在审
申请号: | 201811392915.6 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109449266A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 顾伟 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/18 | 分类号: | H01L33/18;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多波长发光二极管晶圆片及其制备方法,由衬底、第一半导体层和第二半导体层所组成;其中:第一半导体层形成于所述衬底上,所述第一半导体层的表面制备有两个或两个以上的不同晶面,所述不同晶面相对于衬底平面的夹角具有不同倾斜角。本发明的优点在于:通过在第一半导体层上预先刻蚀制备第一晶面和第二晶面,分别利用第一晶面和第二晶面的倾斜角来调配有源层的厚度,从而可以有选择性的根据后续Micro LED显示屏的芯粒尺寸、芯粒间距和波长分布相对应在同一晶圆片上制备出所需的多种发光波长的发光二极管,切割成为具有不同峰值波长的Micro LED芯粒,以此为基础进行的Micro LED巨量转移,可以实现更高的转移效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体层 晶面 制备 晶圆片 多波长发光二极管 衬底 芯粒 发光二极管 表面制备 波长分布 衬底平面 发光波长 峰值波长 转移效率 刻蚀 源层 切割 调配 | ||
【主权项】:
1.一种多波长发光二极管晶圆片,由衬底(101)、第一半导体层(102)和第二半导体层(103)所组成;其特征在于:第一半导体层(102)形成于所述衬底(101)上,所述第一半导体层(102)的表面制备有两个或两个以上的不同晶面,所述不同晶面相对于衬底平面的夹角具有不同倾斜角,所述第二半导体层(103)形成于第一半导体层表面之上,所述第二半导体层(103)包含有源层(1031)和p型氮化镓层(1032),所述有源层(1031)在第一半导体层(102)表面不同晶面的相对位置上具有不同的厚度,所述不同厚度的有源层(1031)会发出具有不同峰值波长的光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兆驰半导体有限公司,未经江西兆驰半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811392915.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种光束成像装置
- 下一篇:一种紫外发光二极管及其制作方法