[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811376467.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111199912A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成孔洞或沟槽，所述孔洞或沟槽具有侧壁上部、侧壁下部和底部；在所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部上形成氮化钨层，所述侧壁上部、侧壁下部和底部形成的氮化钨厚度均相同；在所述氮化钨层上沉积金属层并填满所述孔洞或沟槽。本发明的阻挡层阶梯覆盖性优异，使得金属能够充分填满孔洞或沟槽从而避免产生孔洞，同时沉积的阻挡层厚度适当且致密，具有良好的附着力和优异的阻挡性能，且具有低接触电阻，能够提高产品良率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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