[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成孔洞或沟槽，所述孔洞或沟槽具有侧壁上部、侧壁下部和底部；

在所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部上形成氮化钨层，所述侧壁上部、侧壁下部和底部形成的氮化钨厚度均相同；

在所述氮化钨层上沉积金属层并填满所述孔洞或沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

在所述衬底上形成孔洞或沟槽之前，在所述衬底中形成金属连线层，所述孔洞或沟槽位于所述金属连线层上部并使所述金属连线层至少部分露出。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：

等离子处理步骤，在所述衬底上沉积氮化钨层之前使用气体去除与所述孔洞或沟槽相连部分的金属连线层表面的金属氧化膜。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述衬底中形成的金属连线层为铜连线层，等离子处理步骤中去除的所述金属氧化膜为氧化铜，所述氮化钨层上沉积的金属层为钨层。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述等离子处理步骤中使用的气体为Ar或H₂。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

采用脉冲成核层氮化钨沉积工艺来沉积所述氮化钨层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述脉冲成核层氮化钨沉积工艺包括层积循环，在所述层积循环中使所述衬底依次暴露于B₂H₆、WF₆、NH₃气体。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述脉冲成核层氮化钨沉积工艺中注入载气。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述脉冲成核层氮化钨沉积工艺中采用的温度为200至400℃，沉积的氮化钨层的厚度为110埃以下。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

孔洞或沟槽，位于所述衬底上，所述孔洞或沟槽具有侧壁上部、侧壁下部和底部；

氮化钨层，覆盖在所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部，所述孔洞或沟槽的侧壁上部、侧壁下部和底部上的氮化钨的厚度均相同；

金属层，覆盖所述氮化钨层并填满所述孔洞或沟槽。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，

所述孔洞或沟槽的深宽比为2以上，所述氮化钨层的厚度为110埃以下。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，包括：

金属连线层，位于所述衬底中及所述孔洞或沟槽下部并使所述金属连线层至少部分露出。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，

所述金属连线层为铜连线层，所述金属层为钨层。