[发明专利]金属层-绝缘层-金属层电容器的制作方法、存储器单元在审
| 申请号： | 201811365739.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199955A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈俭 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/11 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供半导体衬底及位于半导体衬底表面的第一介质层；定义电容的上极板区域，刻蚀上极板区域的第一介质层至某一深度；定义电容的下极板区域，下极板区域位于上极板区域之内，刻蚀下极板区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出半导体衬底表面；于下极板区域形成电容下极板；于电容下极板、上极板区域依次形成电容介质层、电容上极板。本发明还提供一种存储单元。本发明形成立体结构的MIM电容器，兼容现有半导体工艺，大大提高了电容器的单位电容，而且避免了量产中的尺寸变化或者对准漂移引起的上下极板之间的潜在短路风险，提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容器 制作方法 存储器 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811365739.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
