[发明专利]集成电路器件在审
申请号: | 201811337662.2 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109786378A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 裵德汉;金商瑛;柳炳赞;俞宗昊;D-U.全 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:基板,具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域;栅极结构,在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸;引导图案,在第二方向上在栅极结构上延伸,并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面;源极/漏极区域,设置在栅极结构的两侧;以及第一接触,电连接到源极/漏极区域之一,并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。 | ||
搜索关键词: | 集成电路器件 栅极结构 基板 图案 源极/漏极区域 倾斜侧表面 延伸 源区域 鳍型 电连接 上表面 平行 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:基板,具有鳍型有源区域,该鳍型有源区域在平行于所述基板的上表面的第一方向上纵向地延伸;栅极结构,在所述基板上与所述鳍型有源区域交叉并在垂直于所述第一方向且平行于所述基板的所述上表面的第二方向上纵向地延伸;引导图案,设置在所述栅极结构的顶上并在所述第二方向上纵向地延伸,所述引导图案具有倾斜侧表面,并且所述引导图案的上部在所述第一方向上的宽度小于所述引导图案的下部在所述第一方向上的宽度;源极/漏极区域,设置在所述栅极结构的两侧;以及第一接触,电连接到所述源极/漏极区域之一并具有接触所述引导图案的所述倾斜侧表面的上部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811337662.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率晶体管及其制造方法
- 下一篇:用于改进扭结效应的金属栅极调制
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的