[发明专利]集成电路器件在审

专利信息
申请号: 201811337662.2 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109786378A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 裵德汉;金商瑛;柳炳赞;俞宗昊;D-U.全 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王新华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:基板,具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域;栅极结构,在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸;引导图案,在第二方向上在栅极结构上延伸,并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面;源极/漏极区域,设置在栅极结构的两侧;以及第一接触,电连接到源极/漏极区域之一,并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。
搜索关键词: 集成电路器件 栅极结构 基板 图案 源极/漏极区域 倾斜侧表面 延伸 源区域 鳍型 电连接 上表面 平行 垂直
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:基板,具有鳍型有源区域,该鳍型有源区域在平行于所述基板的上表面的第一方向上纵向地延伸;栅极结构,在所述基板上与所述鳍型有源区域交叉并在垂直于所述第一方向且平行于所述基板的所述上表面的第二方向上纵向地延伸;引导图案,设置在所述栅极结构的顶上并在所述第二方向上纵向地延伸,所述引导图案具有倾斜侧表面,并且所述引导图案的上部在所述第一方向上的宽度小于所述引导图案的下部在所述第一方向上的宽度;源极/漏极区域,设置在所述栅极结构的两侧;以及第一接触,电连接到所述源极/漏极区域之一并具有接触所述引导图案的所述倾斜侧表面的上部。
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