[发明专利]一种制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201811286627.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128730B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 林伯璋;黄柏翰;陈致中;林俊贤;蔡世鸿;谢柏光 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先形成多个鳍状结构于一基底上，然后利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行一冲洗(rinse)制作工艺，随后进行一烘烤制作工艺，再形成一栅极氧化层于该等鳍状结构上。依据本发明的优选实施例，冲洗制作工艺之时间较佳介于15秒至60秒，烘烤制作工艺的温度较佳介于摄氏50度至摄氏100度，另外烘烤制作工艺的时间较佳介于5秒至120秒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
