[发明专利]一种制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201811286627.2 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128730B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 林伯璋;黄柏翰;陈致中;林俊贤;蔡世鸿;谢柏光 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，包含：
形成鳍状结构于基底上；
利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行冲洗(rinse)制作工艺；
进行烘烤制作工艺；形成栅极氧化层于该鳍状结构上；进行等离子体处理制作工艺以形成氧化层于该鳍状结构以及该基底间；
进行第一清洗制作工艺去除该氧化层；
进行第二清洗制作工艺去除聚合物；以及
进行第三清洗制作工艺去除微粒。
2.如权利要求1所述的方法，另包含利用氧气来进行该等离子体处理制作工艺。
3.如权利要求2所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的温度介于摄氏135度至摄氏165度。
4.如权利要求2所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的压力介于0.9托至1.1托。
5.如权利要求2所述的方法，其中该等离子体处理制作工艺的时间介于2.7分钟至3.3分钟。
6.如权利要求1所述的方法，另包含利用稀释氢氟酸来进行该第一清洗制作工艺。
7.如权利要求1所述的方法，另包含利用臭氧来进行该第二清洗制作工艺。
8.如权利要求1所述的方法，另包含利用标准清洗溶液SC1来进行该第三清洗制作工艺。
9.如权利要求1所述的方法，其中该冲洗制作工艺的时间介于15秒至60秒。
10.如权利要求1所述的方法，其中该烘烤制作工艺的温度介于摄氏50度至摄氏100度。
11.如权利要求1所述的方法，其中该烘烤制作工艺的时间介于5秒至120秒。
12.如权利要求1所述的方法，另包含进行现场蒸气成长制作工艺(in-situ steamgeneration,ISSG)以形成该栅极氧化层。
13.如权利要求1所述的方法，其中该鳍状结构包含环形，该方法另包含于形成该栅极氧化层之后进行鳍状结构切割(fin cut)制作工艺将该鳍状结构分隔为多个鳍状结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
