[发明专利]一种制作半导体元件的方法

说明书

本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先形成多个鳍状结构于一基底上，然后利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行一冲洗(rinse)制作工艺，随后进行一烘烤制作工艺，再形成一栅极氧化层于该等鳍状结构上。依据本发明的优选实施例，冲洗制作工艺之时间较佳介于15秒至60秒，烘烤制作工艺的温度较佳介于摄氏50度至摄氏100度，另外烘烤制作工艺的时间较佳介于5秒至120秒。

技术领域

本发明涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于形成鳍状结构后进行冲洗制作工艺的方法。

背景技术

随着场效晶体管(field effect transistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin field effecttransistor,Fin FET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(draininduced barrier lowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(short channel effect,SCE)。再者，由于鳍状场效晶体管元件在同样的栅极长度下会具有更宽的通道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。甚而，晶体管元件的临界电压(threshold voltage)也可通过调整栅极的功函数而加以调控。

然而，在现行的鳍状场效晶体管元件制作工艺中，鳍状结构的设计仍存在许多瓶颈，进而影响整个元件的漏电流及整体电性表现。因此如何改良现有鳍状场效晶体管制作工艺即为现今一重要课题。

发明内容

本发明一实施例揭露一种制作半导体元件的方法。首先形成多个鳍状结构于一基底上，然后利用异丙醇(isopropyl alcohol)进行一冲洗(rinse)制作工艺，随后进行一烘烤制作工艺，再形成一栅极氧化层于该等鳍状结构上。依据本发明的优选实施例，冲洗制作工艺的时间较佳介于15秒至60秒，烘烤制作工艺的温度较佳介于摄氏50度至摄氏100度，另外烘烤制作工艺的时间较佳介于5秒至120秒。

附图说明

图1为本发明一实施例制作半导体元件的流程示意图；

图2为本发明的一实施例制作半导体元件的上视图；

图3至图4为图2沿着切线AA’制作半导体元件的剖面示意图；

图5为本发明的一实施例制作半导体元件的上视图。

主要元件符号说明

12 基底 14 鳍状结构

具体实施方式

请参照图1至图5，图1为本发明一实施例制作半导体元件的流程示意图，图2至图5则为本发明的一实施例制作半导体元件的方法示意图，其中图2与图5分别为本发明一实施例制作半导体元件的上视图，图3至图4则为图2沿着切线AA’制作半导体元件的剖面示意图。如图1至图3所示，首先提供一基底12，例如一硅基底或硅覆绝缘(silicon oninsulator,SOI)基板，然后依据步骤101形成鳍状结构14于基底12上，其中此阶段所形成的鳍状结构从上视角度来看较佳如图1所示为一呈现约略环形的鳍状结构，同时从剖面角度来看如图3所示，此阶段的鳍状结构14与基底12间较佳呈现由直线所构成的夹角，亦即基底12上表面与鳍状结构14侧壁交界处较佳为由不具有弧度或曲线的垂直表面以及水平表面所构成的夹角。