[发明专利]提高flash数据保持能力的工艺方法

摘要

本发明公开了一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其中：在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；刻蚀形成浅沟槽隔离；沉积氧化物并填满浅沟槽；研磨氧化物并停在氮化硅层上；刻蚀去除氮化硅层至露出栅极氧化层；沉积浮栅多晶硅；研磨浮栅多晶硅至浅沟槽中氧化物露出；刻蚀浅沟槽中的氧化物；沉积ONO隔离层；沉积控制栅多晶硅；刻蚀控制栅多晶硅至露出栅极氧化层；进行氧化处理形成第二氧化层；刻蚀去除第二氧化层。本发明将浮栅底部形成的尖角在Y方向上进行圆滑处理，解决了控制栅多晶硅刻蚀后浮栅底部的尖角易产生强电场而导致flash丢失电荷的问题，弥补了现有刻蚀工艺难于得到陡直形貌的缺陷，提高了flash器件的数据保持能力。

主权项

1.一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，形成半导体衬底结构；第二步，在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；第三步，刻蚀形成浅沟槽隔离；第四步，在硅片表面沉积氧化物并填满所述浅沟槽；第五步，对氧化物进行研磨，并停留在氮化硅层上；第六步，刻蚀去除氮化硅层，直至露出栅极氧化层；第七步，沉积浮栅多晶硅；第八步，对浮栅多晶硅进行研磨，直至浅沟槽中氧化物露出；第九步，刻蚀浅沟槽中的部分氧化物；第十步，沉积ONO隔离层；第十一步，沉积控制栅多晶硅；第十二步，对控制栅多晶硅进行刻蚀，直至露出栅极氧化层；刻蚀后控制栅的特征尺寸大于基准尺寸；第十三步，进行氧化处理形成第二氧化层；第十四步，刻蚀去除第二氧化层，刻蚀后控制栅的特征尺寸等于基准尺寸。