[发明专利]提高flash数据保持能力的工艺方法

权利要求书

1.一种提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，形成半导体衬底结构；

第二步，在衬底上依次沉积栅极氧化层、氮化硅层、多晶碳层、第一氧化层；

第三步，刻蚀形成浅沟槽隔离；

第四步，在硅片表面沉积氧化物并填满所述浅沟槽；

第五步，对氧化物进行研磨，并停留在氮化硅层上；

第六步，刻蚀去除氮化硅层，直至露出栅极氧化层；

第七步，沉积浮栅多晶硅；

第八步，对浮栅多晶硅进行研磨，直至浅沟槽中氧化物露出；

第九步，刻蚀浅沟槽中的部分氧化物；

第十步，沉积ONO隔离层；

第十一步，沉积控制栅多晶硅；

第十二步，对控制栅多晶硅进行刻蚀，直至露出栅极氧化层；刻蚀后控制栅的特征尺寸大于基准尺寸；

第十三步，进行氧化处理形成第二氧化层；

第十四步，刻蚀去除第二氧化层，刻蚀后控制栅的特征尺寸等于基准尺寸。

2.根据权利要求1所述的提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，在第九步中，将浅沟槽中的氧化物刻蚀去除30nm-70nm。

3.根据权利要求1所述的提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，在第二步中，栅极氧化层的厚度为7nm-13nm，氮化硅层的厚度为100nm-170nm，多晶碳层的厚度为200nm-400nm，第一氧化层的厚度为2nm-15nm。

4.根据权利要求1所述的提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，在第十三步中，所述第二氧化层位于栅极的侧壁和上方。

5.根据权利要求1所述的提高flash数据保持能力的工艺方法，其特征在于，在第十四步中，所述第二氧化层采用湿法刻蚀去除。