[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置局部地控制载流子的寿命，其特征在于，包括：设有缺陷的区域，该设有缺陷的区域中，缺陷形成于第一导电型的半导体基板，且具有切断构成该半导体基板的原子的原子间键而生成的悬空键；以及形成于所述半导体基板的背面侧且比所述设有缺陷的区域更靠近所述半导体基板的正面侧的高氢浓度区域，该高氢浓度区域的氢浓度比所述半导体基板的正面侧要高，在所述高氢浓度区域中，所述缺陷比所述半导体基板的所述高氢浓度区域以外的区域要少，载流子的寿命比所述设有缺陷的区域要长，在所述设有缺陷的区域中含有氦。