[发明专利]OLED面板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811214433.1 申请日: 2018-10-18
公开(公告)号: CN109473461A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 唐甲;任章淳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种OLED面板及其制作方法。所述OLED面板的制作方法包含:提供一玻璃基板;在所述玻璃基板上依序形成一TFT遮光层、一缓冲层、一半导体层、一栅极绝缘层、一第一金属层、一层间绝缘层、一第二金属层、一钝化层、一彩色滤光片及一平坦层,所述半导体层具有一TFT有源区及一第一电容电极;所述第二金属层具有一第二电容电极,位于所述第一电容电极上方;在所述钝化层中形成至少一钝化层过孔及一钝化层凹槽;以及形成一透明导电层,所述透明导电层位于所述平坦层上、所述钝化层过孔中及所述钝化层凹槽中。
搜索关键词: 钝化层 电容电极 第二金属层 透明导电层 半导体层 玻璃基板 平坦层 制作 彩色滤光片 层间绝缘层 第一金属层 栅极绝缘层 缓冲层 遮光层 源区
【主权项】:
1.一种OLED面板,其特征在于:所述OLED面板包括:一玻璃基板;一TFT遮光层,设置于所述玻璃基板上;一缓冲层,设置于所述玻璃基板及所述TFT遮光层上;一半导体层,设置于所述缓冲层上,所述半导体层经历图形化处理形成一TFT有源区及一第一电容电极;一栅极绝缘层,设置于所述TFT有源区上;一第一金属层,经图形化处理设置于所述栅极绝缘层上,其中所述第一金属层覆盖区域以外的所述TFT有源区及所述第一电容电极经历导体化处理;一层间绝缘层,设置于所述第一金属层及所述半导体层上;一第二金属层,设置于所述层间绝缘层上,所述第二金属层经历图形化处理形成一第二电容电极,所述第二电容电极位于所述第一电容电极上方;一钝化层,设置于所述第二金属层上,所述钝化层具有一钝化层凹槽,所述钝化层凹槽位于所述第二电容电极上方;一彩色滤光片设置于所述钝化层上;一平坦层,设置于所述钝化层及所彩色滤光片上,所述平坦层具有一平坦层穿孔对应所述钝化层凹槽并且与所述钝化层凹槽连通;一透明导电层,设置于所述平坦层上、所述平坦层穿孔及所述钝化层凹槽中,其中位于所述钝化层凹槽中的所述透明导电层形成一第三电容电极;及一像素限定层,设置于所述平坦层及所述透明导电层上。
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