[发明专利]存储器架构中的参考单元的自测试和重用方法在审
| 申请号： | 201811168122.6 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109637577A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 童全钜;杨林;董琪;廖恒业 | 申请（专利权）人： | 海青智盈科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10;G11C29/12;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;姜婷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容涉及存储器架构中的参考单元的自测试和重用方法。集成电路包括人工智能(AI)逻辑和耦接到AI逻辑并可连接到外部处理器的嵌入式存储器。嵌入式存储器包括多个存储单元和多个参考部。通过外部处理器经由在芯片封装级的配置，选择存储器中的一个或更多个参考部用于存储器访问。外部处理器可以执行自测试过程来选择或更新一个或更多个参考部以进行存储器访问，使得存储器的错误率低于阈值。可以经由存储器中的存储器初始化控制器执行自测试过程，以在芯片级测试和重用存储器中的参考单元。嵌入式存储器可以是STT‑MRAM、SOT、OST MRAM和/或MeRAM存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 嵌入式存储器 外部处理器 参考单元 存储器访问 存储器架构 自测试过程 重用 自测试 参考 存储器初始化 芯片封装级 芯片级测试 选择存储器 人工智能 存储单元 控制器 错误率 可连接 集成电路 更新 配置 | ||
【主权项】：
1.一种测试磁阻随机存取存储器MRAM存储器中的参考单元的方法，所述MRAM存储器包括多个存储单元和多个参考部，每个参考部包括一个或更多个参考单元，所述方法包括：(i)根据模式从所述多个参考部中确定若干参考部以形成参考单元集，其中，所述模式限定要选择所述多个参考部中的哪个参考部；(ii)利用值0对所述参考单元集的子集进行编程，并且利用值1对所述参考单元集的剩余子集进行编程；(iii)使用所述参考单元集来测试所述MRAM存储器中的所述多个存储单元以确定错误率；(iv)确定所述错误率是否超过错误阈值；(V)当确定所述MRAM存储器中的所述多个存储单元的错误率超过所述错误阈值时：更新所述模式，通过根据更新的模式从所述多个参考部中选择若干参考部来更新所述参考单元集，以及重复步骤(ii)‑步骤(v)，当确定所述MRAM存储器中的所述多个存储单元的错误率未超过所述错误阈值时：将所述参考单元集设置为选择的参考单元，以及存储参考单元信息，所述参考单元信息指示所述参考单元集中的哪个单元具有值0以及哪个具有值1。
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