[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811080311.8 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110911541B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林纬廸;简俊贤;陈富扬 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构包括载板、至少一自组装材料层、第一防焊层以及至少一发光二极管。载板包括第一增层线路。自组装材料层配置于第一增层线路上。第一防焊层配置于第一增层线路上。第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。发光二极管配置于第一增层线路上。发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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