[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构包括载板、至少一自组装材料层、第一防焊层以及至少一发光二极管。载板包括第一增层线路。自组装材料层配置于第一增层线路上。第一防焊层配置于第一增层线路上。第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。发光二极管配置于第一增层线路上。发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种可自组装的发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

目前，次毫米发光二极管(mini LED)或微型发光二极管(Micro LED，μLED)的背板结构多使用非防焊层定义(Non-Solder Mask Define,NSMD)结构。而为了提升画面的精细度及解析能力，需要以高密度的矩阵排列来进行组装，且需进行巨量转移的作业。虽然组装的过程可利用机台的对准系统进行对位、取件置件、热压接合等制程来进行LED晶粒与背板的结合，但由于晶粒尺寸微小且转移量非常大，因此，若互相结合的过程仅仰赖机台对准系统的精准度，则易产生对位不佳，进而导致良率的损失。

发明内容

本发明提供一种发光二极管封装结构，可改善发光二极管于转移时对位不佳的问题，并提升转移的良率。

本发明提供一种发光二极管封装结构的制造方法，可制造上述的发光二极管封装结构。

本发明的发光二极管封装结构包括载板、至少一自组装材料层、第一防焊层以及至少一发光二极管。载板包括第一增层线路。自组装材料层配置于第一增层线路上。第一防焊层配置于第一增层线路上。第一防焊层具有至少一开口，以暴露出部分自组装材料层。发光二极管配置于第一增层线路上。发光二极管具有自组装图案。发光二极管通过自组装图案与自组装材料层之间的作用力而自组装于第一防焊层的开口内。

在本发明的一实施例中，上述的至少一开口包括至少一第一开口、至少一第二开口以及至少一第三开口。其中，第一开口的尺寸大于第二开口的尺寸，且第二开口的尺寸大于第三开口的尺寸。

在本发明的一实施例中，上述的至少一发光二极管包括至少一第一发光二极管、至少一第二发光二极管以及至少一第三发光二极管。第一发光二极管具有第一自组装图案、第二发光二极管具有第二自组装图案以及第三发光二极管具有第三自组装图案。其中，第一开口、第二开口以及第三开口的尺寸分别对应于第一自组装图案、第二自组装图案以及第三自组装图案的尺寸设置。

在本发明的一实施例中，上述的第一开口、第二开口以及第三开口的形状分别对应于第一自组装图案、第二自组装图案以及第三自组装图案的形状设置。

在本发明的一实施例中，上述的自组装图案包括磁性材料，且自组装材料层包括磁性材料。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管封装结构还包括至少一第一表面处理层、黏着层以及透光层。第一表面处理层配置于第一防焊层的开口内。黏着层配置于第一防焊层上，且包覆发光二极管。透光层配置于黏着层上。透光层与第一防焊层分别位于黏着层的相对两侧。其中，上述的载板还包括至少一芯片以及封装胶体。芯片具有主动表面。封装胶体包覆芯片。发光二极管与芯片分别位于第一增层线路的相对两侧。

在本发明的一实施例中，上述的载板还包括第二增层线路、至少一第二表面处理层以及至少一导电通孔。第二增层线路配置于芯片上。第二表面处理层配置于第二增层线路与芯片的主动表面之间。导电通孔电性连接第一增层线路与第二增层线路。

在本发明的一实施例中，上述的载板还包括基板、多个凸块以及第二防焊层。基板配置于第一增层线路与第二增层线路之间。凸块配置于芯片的主动表面上，以电性连接第二增层线路与芯片。第二防焊层配置于第二增层线路与封装胶体之间，并暴露出部分第二增层线路。第二表面处理层配置于第二防焊层暴露出的部分第二增层线路与凸块之间。导电通孔贯穿基板。主动表面朝向发光二极管。