[发明专利]一种抗浪涌能力增强型的4H-SiC肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抗浪涌能力增强型的4H‑SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面生长4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层内形成P型金刚石外延层以及P型金刚石终端保护区；在P型金刚石外延层、P型金刚石终端保护区以及4H‑SiC漂移层表面形成第一钝化层；在4H‑SiC衬底下面形成欧姆接触金属层；刻蚀部分第一钝化层直到漏出4H‑SiC漂移层，在漏出的4H‑SiC漂移层表面形成肖特基接触金属层；在肖特基接触金属层上形成第一接触层，在欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在部分第一接触层、部分第一钝化层以及部分肖特基接触金属层上形成第二钝化层，以完成4H‑SiC肖特基二极管的制备。通过这种制备方法，可以保证器件在正常的静态特性下可以显著提升抗浪涌能力。

主权项

1.一种抗浪涌能力增强型的4H‑SiC肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在所述4H‑SiC漂移层内形成P型金刚石外延层以及P型金刚石终端保护区；在所述P型金刚石外延层、所述P型金刚石终端保护区以及所述4H‑SiC漂移层表面形成第一钝化层；在所述4H‑SiC衬底下面形成欧姆接触金属层；刻蚀部分所述第一钝化层直到漏出所述4H‑SiC漂移层，在漏出的所述4H‑SiC漂移层表面形成肖特基接触金属层；在所述肖特基接触金属层上形成第一接触层；在所述欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在部分所述第一接触层、部分所述第一钝化层以及部分所述肖特基接触金属层上形成第二钝化层，以完成4H‑SiC肖特基二极管的制备。