[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811044897.2 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890460B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 翁宸毅;张境尹 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法主要先形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一衬垫层于该MTJ上，去除部分衬垫层以形成一开口暴露该MTJ，之后再形成一导电层于开口内，其中导电层上表面切齐衬垫层上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811044897.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
