[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

形成磁性隧穿接面于基底上；

形成衬垫层于该磁性隧穿接面上；

去除部分该衬垫层以形成开口暴露该磁性隧穿接面；以及

形成导电层于该开口内，其中该导电层与该磁性隧穿接面的上电极一同构成新上电极，且该导电层的上表面切齐该衬垫层上表面，

其中该新上电极包含T形，该T形具有下半部以及位于该下半部上的上半部。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第一金属间介电层于该基底上；

形成第一金属内连线于该第一金属间介电层内；

形成该磁性隧穿接面于该第一金属内连线上；

形成间隙壁于该磁性隧穿接面旁；

形成第二金属间介电层于该第一金属间介电层上并环绕该间隙壁；以及

形成该衬垫层于该第二金属间介电层、该间隙壁以及该磁性隧穿接面上。

3.如权利要求2所述的方法，还包含：

去除部分该衬垫层以形成该开口暴露该磁性隧穿接面、该间隙壁以及部分该第二金属间介电层；

形成该导电层于该开口内；

平坦化该导电层使该导电层上表面切齐该衬垫层上表面。

4.如权利要求2所述的方法，还包含于形成该衬垫层之前形成第二金属内连线于该磁性隧穿接面旁的该第二金属间介电层内。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第二金属内连线上表面切齐该第二金属间介电层上表面。

6.如权利要求4所述的方法，其中该第一金属内连线以及该第二金属内连线包含不同材料。

7.如权利要求2所述的方法，其中该磁性隧穿接面包含：

下电极，设于该第一金属内连线上；

固定层，设于该下电极上；以及

该上电极，设于该固定层上。

8.如权利要求7所述的方法，其中该导电层以及该上电极包含相同材料。

9.一种半导体元件，包含：

第一金属间介电层，设于基底上；

第一金属内连线，设于该第一金属间介电层内；

磁性隧穿接面设于该第一金属内连线上，其中该磁性隧穿接面包含：

下电极；

固定层；以及

上电极，其中该上电极包含T形，该T形具有下半部以及位于该下半部上的上半部，

第二金属间介电层，设于该第一金属间介电层上并环绕该磁性隧穿接面；以及

衬垫层，设于该第二金属间介电层上并环绕该上电极的该上半部，且该上半部的上表面齐平于该衬垫层的上表面。

10.如权利要求9所述的半导体元件，还包含第二金属内连线，设于该磁性隧穿接面旁的该第二金属间介电层内。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二金属内连线上表面切齐该第二金属间介电层上表面。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该磁性隧穿接面

该下电极设于该第一金属内连线上；

该固定层设于该下电极上；以及

该上电极设于该固定层上。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中

该下半部设于该第二金属间介电层内；以及

该上半部设于该衬垫层内。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该下半部宽度小于该上半部宽度。

15.如权利要求13所述的半导体元件，其中该下半部上表面切齐该第二金属间介电层上表面。