[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811035569.6 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109494188A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫裕之 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法，能够以抑制碎屑的产生和切断故障的方式对在背面形成有金属的晶片进行单片化。该半导体装置的制造方法具有以下工序：在半导体衬底的背面形成金属层；对金属层进行刀具切割；以及对半导体衬底进行隐形切割TM。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 金属层 衬底 半导体 背面 制造 刀具切割 隐形切割 单片化 晶片 碎屑 金属 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在半导体衬底的背面形成金属层；对所述金属层进行刀具切割；以及对所述半导体衬底进行隐形切割TM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
