[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811035569.6 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109494188A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 宇都宫裕之 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 金属层 衬底 半导体 背面 制造 刀具切割 隐形切割 单片化 晶片 碎屑 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在半导体衬底的背面形成金属层；
对所述金属层进行刀具切割；以及
对所述半导体衬底进行隐形切割TM。
2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
沿着半导体衬底的间隔道照射激光，在所述半导体衬底内部形成改性层；
在所述半导体衬底的背面形成金属层；
利用刀具沿着所述间隔道切割所述金属层；以及
对形成有所述改性层的半导体衬底施加外力，来切割所述半导体衬底。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述金属层的形成是在形成所述改性层的工序之后进行的，
所述激光从所述半导体衬底的背面照射。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述外力是通过在切割后的所述金属层的背面粘贴扩展带并使所述扩展带扩张而施加的。
5.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述外力是在切割所述金属层的工序中由所述刀具施加的。
6.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述外力是通过使所述金属层朝所述金属层的背面的方向弯曲而施加的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
