[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供半导体装置的制造方法，能够以抑制碎屑的产生和切断故障的方式对在背面形成有金属的晶片进行单片化。该半导体装置的制造方法具有以下工序：在半导体衬底的背面形成金属层；对金属层进行刀具切割；以及对半导体衬底进行隐形切割^TM。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法，尤其涉及包含对在背面形成有金属的晶片进行单片化的工序的半导体装置的制造方法。

背景技术

作为形成有功率器件(Power device)等的晶片，存在采用了在该晶片的背面形成金属(例如，Cu、Ag等)作为端子的构造的晶片。

在通过刀具切割(Blade dicing)对上述构造的晶片进行单片化的情况下，需要切断半导体衬底和金属双方。但是，切断半导体衬底和金属的刀具、条件不同，例如，当用面向金属的刀具和条件进行切割时，碎片、裂纹(以下，也称作“碎屑”)容易进入半导体衬底，当用面向半导体衬底的刀具和条件进行切割时，背面的金属粘在刀具上，容易产生堵塞。堵塞后的刀具的切断能力显著下降，成为半导体衬底的碎屑的原因。此外，当金属的切断能力较低时，金属未被切断干净而延伸到背面侧，在之后的工序中，该延伸出的部分缺失，也有时成为短路故障的原因。此外，在背面的金属是延展性较高的性质的金属的情况下，还有时金属延伸而未被切断，成为故障。

针对这样的问题，以往，提出有沿着间隔道预先去除背面的金属并从半导体衬底的表面起沿着间隔道利用刀具切断半导体衬底来对半导体衬底进行单片化的方法(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开平4-056149号公报

专利文献2：日本特开平4-335550号公报

近年来，关于在背面形成有金属的构造的晶片，基于提高器件的特性的要求，趋向于使半导体衬底更薄、使金属更厚来使电阻下降，关于当前的结构比，半导体衬底/金属的膜厚达到大约3/2～1/1这样的比率。

因此，如专利文献1、2那样，在沿着间隔道预先去除了背面的金属的情况下，用刀具切断非常薄的膜厚的半导体衬底，因此，产生较多的碎屑，成品率降低，生产性下降。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够以抑制碎屑的产生和切断故障的方式对在背面形成有金属的晶片进行单片化的半导体装置的制造方法。

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具有以下工序：在半导体衬底的背面形成金属层；对所述金属层进行刀具切割；以及对所述半导体衬底进行隐形切割^TM(Stealth Dicing，注册商标)。

根据本发明，能够用面向金属的刀具和条件对金属层进行切割，通过对半导体衬底进行隐形切割^TM而不产生碎屑，因此，能够在不降低生产性的情况下对晶片进行单片化。

附图说明

图1是示出本发明第1实施方式的半导体装置的制造方法的工序剖视图。

图2是图1所示的半导体衬底的俯视图。

图3是示出图1的部分放大图的一例的图。

图4是示出图1的部分放大图的另一例的图。

图5是示出本发明第2实施方式的半导体装置的制造方法的工序剖视图。

图6是示出本发明第3实施方式的半导体装置的制造方法的工序剖视图。

标号说明

11：半导体衬底；12：改性层；13：金属层；20：支承衬底；21：背面研磨带(Backgrinding tape)；22：刀具；23：扩展带。

具体实施方式