[发明专利]碳化硅MOS栅氧化层退火方法在审
| 申请号： | 201811027430.7 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109346404A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴明晃;廖奇泊;陈本昌 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅(SiC)MOS栅氧化层退火方法，包括栅极氧化物成长步骤、栅区晶硅形成步骤、源区形成步骤、P型形成步骤、介电层形成步骤以及防护层形成步骤。所述P型形成步骤包括P层形成步骤；在所述P层形成步骤中：在N型外延层(10)上形成P层(9)，并构成P阱区。本发明可以改善SiC与SiO2界面的悬挂键(Dangling bond)或残留的碳原子之特性，并使碳化硅(SiC)MOS组件电性行为模式与理论组件特性一致，进而改善碳化硅MOS栅氧中的缺陷，提高产品的击穿电荷量，以及对电场应力的耐受能力,改善了碳化硅MOS栅氧的饱和电压特性及可靠性，并提供可信及稳定的电源模块应用设计。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 退火 氧化层 饱和电压特性 栅极氧化物 电场应力 电源模块 耐受能力 应用设计 组件特性 性行为 电荷量 防护层 介电层 碳原子 悬挂键 击穿 晶硅 源区 栅区 残留 可信 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOS栅氧化层退火方法，其特征在于，包括栅极氧化物成长步骤、栅区晶硅形成步骤、源区形成步骤、P型形成步骤、介电层形成步骤以及防护层形成步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
