[发明专利]具有校正温度漂移的集成电路芯片有效
申请号: | 201811000808.4 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN109119405B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | S·庞塔罗洛;P·迈格 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L23/34;H01L27/02;G01K7/01;G01R31/28 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及具有校正温度漂移的集成电路芯片,其中集成电路芯片包括沟槽,沟槽至少部分地环绕电路的对温度变化敏感的关键部分。沟槽局部中断以允许电路连接经过关键部分和包含电路的剩余部分的外部之间。关键部分包括加热电阻器和温度传感器。 | ||
搜索关键词: | 具有 校正 温度 漂移 集成电路 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路芯片,包括:多个沟槽,至少部分地环绕集成电路衬底的内部部分,所述集成电路衬底包括对温度变化敏感的电路装置;其中环绕所述内部部分的所述沟槽在多个区域处局部地断开,电连接在所述集成电路衬底的所述内部部分和外部部分之间穿过所述多个区域;加热电阻器,放置在所述内部部分中,并且被配置为改变所述内部部分的温度;放大器,包括第一电路部分和第二电路部分,所述第一电路部分在所述集成电路衬底的所述外部部分中,所述第二电路部分包括对温度变化敏感的所述电路装置;以及温度传感器,放置在所述内部部分中。
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