[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810999625.1 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109244207A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。本发明通过改变P电流扩展条的结构，使得P电流扩展条可以对有源层发出的光进行反射，提高芯片的出光效率。相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩展 焊盘 出光效率 外延层 衬底 源层 反射 制作 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述P型电极包括P焊盘和P电流扩展条，所述P焊盘包括Cr层、Al层、Ti层、Pt层和Au层，所述P电流扩展条包括Al层、Ti层、Pt层和Au层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810999625.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
