[发明专利]一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810997442.6 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109326657A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王华;刘学明;王传敏 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法，属于光电探测器件制备技术领域。包括PIN三层结构，底层为N型的碳化硅衬底，中间的I层为N型的碳化硅外延层，顶层为P型的碳化硅外延层。在P型层的上方表面分别有钝化保护层、减反射膜、欧姆接触以及引出线。N型衬底下方表面有欧姆接触，直接与电极焊盘相连。本发明选用了抗击穿、宽禁带、高量子转换效率的材料作为衬底，简化了加工工艺，成功制备了钝化层、欧姆接触，有效提高了探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触 制备 碳化硅外延层 紫外探测器 碳化硅基 衬底 光电探测器件 量子转换效率 制备技术领域 钝化保护层 电极焊盘 减反射膜 三层结构 上方表面 钝化层 抗击穿 宽禁带 灵敏度 碳化硅 引出线 顶层 探测器 成功 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：该探测器包括衬底(1)、第一外延层(2)、第二外延层(3)、钝化保护层(4)、减反射膜层(5)、P型碳化硅欧姆接触(6)、引线(7)和N型碳化硅欧姆接触(8)；所述的衬底(1)上方为第一外延层(2)和第二外延层(3)；第二外延层(3)的上方为钝化保护层(4)，钝化保护层(4)的中心镂空，减反射膜层(5)嵌入到钝化保护层(4)中心镂空位置，减反射膜层(5)上带有环形凹槽，P型碳化硅欧姆接触(6)嵌入到减反射膜层(5)的环形凹槽中，引线(7)与P型碳化硅欧姆接触(6)连接；衬底(1)下方为N型碳化硅欧姆接触(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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