[发明专利]一种碳化硅基紫外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：该探测器包括衬底(1)、第一外延层(2)、第二外延层(3)、钝化保护层(4)、减反射膜层(5)、P型碳化硅欧姆接触(6)、引线(7)和N型碳化硅欧姆接触(8)；

所述的衬底(1)上方为第一外延层(2)和第二外延层(3)；第二外延层(3)的上方为钝化保护层(4)，钝化保护层(4)的中心镂空，减反射膜层(5)嵌入到钝化保护层(4)中心镂空位置，减反射膜层(5)上带有环形凹槽，P型碳化硅欧姆接触(6)嵌入到减反射膜层(5)的环形凹槽中，引线(7)与P型碳化硅欧姆接触(6)连接；衬底(1)下方为N型碳化硅欧姆接触(8)。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：环形凹槽的深度与减反射膜层(5)的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的衬底(1)的材料为N+型碳化硅。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的第一外延层(2)的材料为N-型碳化硅。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的第二外延层(3)的材料为P型碳化硅。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的钝化保护层(4)的材料为氮化硅薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的减反射膜层(5)的材料为二氧化硅薄膜。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅基紫外探测器，其特征在于：所述的P型碳化硅欧姆接触(6)采用引线键合方式引出引线(7)。

9.一种碳化硅基紫外探测器的制备方法，其特征在于该方法的步骤包括：

(1)在衬底(1)上进行同质外延生长制备第一外延层(2)和第二外延层(3)；

(2)在步骤(1)制备的第二外延层(3)上制备钝化保护层(4)；

(3)将步骤(2)制备的钝化保护层(4)的中心进行镂空，在钝化保护层(4)中心镂空位置制备减反射膜层(5)；

(4)在步骤(3)制备的减反射膜层(5)上开环形凹槽，在减反射膜层(5)的环形凹槽中制备P型碳化硅欧姆接触(6)，通过引线键合的方式引出引线(7)；

(5)在步骤(4)得到的衬底(1)的底部制作N型碳化硅欧姆接触(8)。

10.根权利要求9所述的一种碳化硅基紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，钝化保护层(4)采用LPCVD淀积氮化硅薄膜。

11.根权利要求9所述的一种碳化硅基紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，减反射膜层(5)采用LPCVD淀积二氧化硅薄膜。

12.根权利要求9所述的一种碳化硅基紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，制备P型碳化硅欧姆接触(6)时采用磁控溅射的方式淀积金属铝。

13.根权利要求9所述的一种碳化硅基紫外探测器的制备方法，其特征在于：所述的步骤(5)中，制作N型碳化硅欧姆接触(8)时采用磁控溅射的方式淀积金属镍/钛/金。