[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。实施方式的半导体存储装置具备：第1至第4导电层；n型半导体区域；半导体层，贯通第1至第4导电层，设置在n型半导体区域与p型半导体区域之间，且杂质浓度低于n型半导体区域的杂质浓度及p型半导体区域的杂质浓度；第1至第4电荷蓄积区域；电压控制电路，控制施加到第1至第4导电层的电压，而执行第1读出序列、及与第1读出序列不同的第2读出序列；比较电路，对以第1读出序列读出的第1数据与以第2读出序列读出的第2数据进行比较；及判定电路，判定第1数据与第2数据中的哪一个数据为真值；且第1读出序列的断开电压与第2读出序列的断开电压为不同值。

主权项

1.一种半导体存储装置，具备：第1导电层；所述第1导电层之上的第2导电层；所述第2导电层之上的第3导电层；所述第3导电层之上的第4导电层；n型半导体区域；p型半导体区域，比所述n型半导体区域更靠近所述第4导电层；半导体层，贯通所述第1导电层、所述第2导电层、所述第3导电层、及所述第4导电层，设置在所述n型半导体区域与所述p型半导体区域之间，且杂质浓度低于所述n型半导体区域的杂质浓度及所述p型半导体区域的杂质浓度；第1电荷蓄积区域，设置在所述第1导电层与所述半导体层之间；第2电荷蓄积区域，设置在所述第2导电层与所述半导体层之间；第3电荷蓄积区域，设置在所述第3导电层与所述半导体层之间；第4电荷蓄积区域，设置在所述第4导电层与所述半导体层之间；电压控制电路，控制施加到所述第1导电层、所述第2导电层、所述第3导电层、及所述第4导电层的电压，而执行读出基于所述第2电荷蓄积区域中的电荷量的第1数据的第1读出序列、及以与所述第1读出序列不同的序列读出基于所述第2电荷蓄积区域中的电荷量的第2数据的第2读出序列；比较电路，对所述第1数据与所述第2数据进行比较；及判定电路，基于所述比较电路的比较结果，判定所述第1数据与所述第2数据中的哪一个数据为真值；且所述第1读出序列及所述第2读出序列具备：断开步骤，包括对所述第2导电层施加断开电压；及读出步骤，包括对所述第2导电层施加高于所述断开电压的读出电压；且所述第1读出序列的所述断开电压与所述第2读出序列的所述断开电压为不同值。