[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：第1导电层；

所述第1导电层之上的第2导电层；

所述第2导电层之上的第3导电层；

所述第3导电层之上的第4导电层；

n型半导体区域；

p型半导体区域，比所述n型半导体区域更靠近所述第4导电层；

半导体层，贯通所述第1导电层、所述第2导电层、所述第3导电层、及所述第4导电层，设置在所述n型半导体区域与所述p型半导体区域之间，且杂质浓度低于所述n型半导体区域的杂质浓度及所述p型半导体区域的杂质浓度；

第1电荷蓄积区域，设置在所述第1导电层与所述半导体层之间；

第2电荷蓄积区域，设置在所述第2导电层与所述半导体层之间；

第3电荷蓄积区域，设置在所述第3导电层与所述半导体层之间；

第4电荷蓄积区域，设置在所述第4导电层与所述半导体层之间；

电压控制电路，控制施加到所述第1导电层、所述第2导电层、所述第3导电层、及所述第4导电层的电压，而执行读出基于所述第2电荷蓄积区域中的电荷量的第1数据的第1读出序列、及以与所述第1读出序列不同的序列读出基于所述第2电荷蓄积区域中的电荷量的第2数据的第2读出序列；

比较电路，对所述第1数据与所述第2数据进行比较；及

判定电路，基于所述比较电路的比较结果，判定所述第1数据与所述第2数据中的哪一个数据为真值；且

所述第1读出序列及所述第2读出序列具备：断开步骤，包括对所述第2导电层施加断开电压；及读出步骤，包括对所述第2导电层施加高于所述断开电压的读出电压；且所述第1读出序列的所述断开电压与所述第2读出序列的所述断开电压为不同值。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备存储所述第1数据的第1存储器、及存储所述第2数据的第2存储器。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1数据及所述第2数据是包含所述第2导电层、所述第2电荷蓄积区域、及所述半导体层的存储单元晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备产生多个电平的所述断开电压的电压产生电路。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述多个电平的所述断开电压中的至少一个电压为正电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述断开步骤包括对所述第1导电层施加正电压、对所述第3导电层施加正电压、及对所述第4导电层施加负电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述读出步骤包括对所述第1导电层施加正电压、对所述第3导电层施加正电压、对所述第4导电层施加负电压、及对所述p型半导体区域施加正电压。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间、所述第2导电层与所述第3导电层之间、及所述第3导电层与所述第4导电层之间的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的第5导电层、及设置在所述第3导电层与所述第4导电层之间的第6导电层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层为多晶硅。