[发明专利]一种晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810927822.2 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109166803A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制作方法，通过该方法制作的晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源区与漏区的沟道区，一栅极，所述栅极结构是垂直结构，晶体管在开启时，源极的电子顺着体内垂直多晶硅的两侧水平向漏极流动，从而实现将位于器件表面的单一平面沟道转移到沟槽侧壁形成多条导电沟道，本发明提供的晶体管通过特殊的栅极结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 栅极结构 衬底 漏区 源区 制作 半导体技术领域 电流驱动能力 新型半导体 垂直结构 单一平面 导电沟道 导通电阻 沟槽侧壁 器件表面 多晶硅 沟道区 水平向 沟道 漏极 源极 连通 垂直 体内 流动 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阱区；在所述阱区中形成若干条沟槽；在所述衬底上表面以及所述沟槽内壁形成栅氧化层；在所述沟槽两侧形成源区和漏区，所述源区和漏区均有一侧面位于所述沟槽侧壁，另一侧面位于所述阱区的上表面；在所述沟槽进行多晶硅填充形成所述栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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