[发明专利]用于形成图形的方法有效
| 申请号： | 201810902078.0 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110828301B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 吴晗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路领域，公开一种用于形成图形的方法，包括：提供有硬掩膜层的衬底，在硬掩膜层上涂覆光刻胶层并曝光和显影以形成凸点状图形阵列，其包括多个重复单元区，每个被定义为由三个或以上凸点图形为边角点围成的多边形区；在凸点图形和硬掩膜层上沉积自对准间隔层，其在重复单元区的中心处形成有第一凹点图形；刻蚀去除自对准间隔层直至暴露出凸点图形并在第一凹点图形的底部暴露出硬掩膜层；去除凸点图形，使自对准间隔层具有暴露出硬掩膜层的多个第二凹点图形，第一凹点图形位于第二凹点图形的中心处；对硬掩膜层进行刻蚀以形成孔洞图形，孔洞图形位置对应于第一凹点图形及第二凹点图形；以及去除自对准间隔层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 图形 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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