[发明专利]用于形成图形的方法

说明书

本申请涉及半导体集成电路领域，公开一种用于形成图形的方法，包括：提供有硬掩膜层的衬底，在硬掩膜层上涂覆光刻胶层并曝光和显影以形成凸点状图形阵列，其包括多个重复单元区，每个被定义为由三个或以上凸点图形为边角点围成的多边形区；在凸点图形和硬掩膜层上沉积自对准间隔层，其在重复单元区的中心处形成有第一凹点图形；刻蚀去除自对准间隔层直至暴露出凸点图形并在第一凹点图形的底部暴露出硬掩膜层；去除凸点图形，使自对准间隔层具有暴露出硬掩膜层的多个第二凹点图形，第一凹点图形位于第二凹点图形的中心处；对硬掩膜层进行刻蚀以形成孔洞图形，孔洞图形位置对应于第一凹点图形及第二凹点图形；以及去除自对准间隔层。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路领域，具体地，涉及一种用于形成图形的方法。

背景技术

在现代电子仪器中，集成电路正在不断降低尺寸。为了降低特征尺寸，形成集成电路的组件的特征尺寸也在不断降低。降低特征尺寸的技术可以包括间距倍增技术。

目前常用的间距倍增的方法是用在行间距上，在修饰过后的光阻剂上沉积一层牺牲层，经过牺牲层刻蚀、去除光阻剂、衬底层的刻蚀，最后达到间距倍增的效果。但是现有的间距倍增方法仅限于应用到行间距，并不适用于其他方面。

发明内容

为了实现上述目的，本申请的实施方式提供一种用于形成图形的方法，包括：

提供一衬底，该衬底上设置有硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成凸点状图形阵列，该凸点状图形阵列包括多个重复单元区，每个重复单元区被定义为从垂直于所述衬底的表面的纵向观察由三个或三个以上凸点图形为边角点围成的多边形区；

在所述凸点图形和所述硬掩膜层上沉积一自对准间隔层，所述自对准间隔层覆盖所述凸点图形的顶面和侧面以及所述硬掩膜层的显露上表面，并使所述自对准间隔层在所述重复单元区的中心处形成有一第一凹点图形；

刻蚀去除所述自对准间隔层覆盖所述凸点图形的顶面的部位，直至暴露出所述光刻胶层的所述凸点图形，并在所述第一凹点图形的底部暴露出所述硬掩膜层；

去除所述光刻胶层的所述凸点图形，使所述自对准间隔层具有暴露出所述硬掩膜层的多个第二凹点图形，所述第一凹点图形位于多个所述第二凹点图形的中心处；

经由所述自对准间隔层对所述硬掩膜层进行刻蚀以形成孔洞图形，所述孔洞图形位置对应于所述第一凹点图形及所述第二凹点图形；以及

去除所述自对准间隔层。

可选地，方法还包括：对所述第一凹点图形进行刻蚀以扩大并修饰所述第一凹点图形的开口尺寸。

可选地，利用湿法回蚀技术对所述第一凹点图形进行刻蚀。

可选地，通过控制回蚀的酸浓度和时间来控制所述第一凹点图形的大小。

可选地，在扩大所述第一凹点图形之后，所述自对准间隔层的上表面与所述光刻胶层的凸点图形的顶面之间的距离与所述第一凹点图形的底面与所述硬掩膜层的表面之间的距离相等。

可选地，所述重复单元区由其中三个相邻近的所述凸点图形作为边角点围成的三角形。

可选地，所述重复单元区由其中四个相邻近的所述凸点图形作为边角点围成的矩形。

可选地，所述重复单元区由两次曝光分别形成的凸点图形作为边角点围成的六边形。

可选地，所述重复单元区由三次曝光分别形成的凸点图形作为边角点围成的三角形。

可选地，所述第一凹点图形通过自对准方式形成。