[发明专利]用于形成图形的方法

权利要求书

1.一种用于形成图形的方法，其特征在于，该方法包括：

提供一衬底，该衬底上设置有硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成凸点状图形阵列，该凸点状图形阵列包括多个重复单元区，每个重复单元区被定义为从垂直于所述衬底的表面的纵向观察由三个或三个以上凸点图形为边角点围成的多边形区域；

在所述凸点图形和所述硬掩膜层上沉积一自对准间隔层，所述自对准间隔层覆盖所述凸点图形的顶面和侧面以及所述硬掩膜层的显露上表面，并使所述自对准间隔层在所述重复单元区的中心处形成有一第一凹点图形，通过自对准方式形成所述第一凹点图形；所述自对准方式被设置为利用高阶梯覆盖率的沉积方法以及自对准间隔层的厚度不足，克服所述凸点图形和所述硬掩膜层的高度差，自然形成所述第一凹点图形；

刻蚀去除所述自对准间隔层覆盖所述凸点图形的顶面的部位，直至暴露出所述光刻胶层的所述凸点图形，并在所述第一凹点图形的底部暴露出所述硬掩膜层；

去除所述光刻胶层的所述凸点图形，使所述自对准间隔层具有暴露出所述硬掩膜层的多个第二凹点图形，所述第一凹点图形位于多个所述第二凹点图形的中心处；

经由所述自对准间隔层对所述硬掩膜层进行刻蚀以形成孔洞图形，所述孔洞图形位置对应于所述第一凹点图形及所述第二凹点图形；以及

去除所述自对准间隔层；

对所述第一凹点图形进行刻蚀以扩大并修饰所述第一凹点图形的开口尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用湿法回蚀技术对所述第一凹点图形进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过控制回蚀的酸浓度和时间来控制所述第一凹点图形的大小。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在扩大所述第一凹点图形之后，所述自对准间隔层的上表面与所述光刻胶层的凸点图形的顶面之间的距离与所述第一凹点图形的底面与所述硬掩膜层的表面之间的距离相等。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复单元区由其中三个相邻近的所述凸点图形作为边角点围成的三角形。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复单元区由其中四个相邻近的所述凸点图形作为边角点围成的矩形。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复单元区由两次曝光分别形成的凸点图形作为边角点围成的六边形。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重复单元区由三次曝光分别形成的凸点图形作为边角点围成的三角形。