[发明专利]修调电阻及其制备方法

摘要

本发明提供修调电阻包括熔丝区，熔丝区包括衬底、形成在衬底上的氧化层、形成在氧化层上的隔离层、形成在部分衬底及部分氧化层及隔离层上的介质层、形成在隔离层上及位于介质层之间的第一沟槽、位于第一沟槽上方的熔丝窗口及位于熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在介质层上的第一金属层、形成位于第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在第一金属层及第二金属层上的第三金属层、形成在位于熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在第四金属层上的钝化层，第一沟槽的侧壁与第一沟槽的底部之间形成倒角，熔丝窗口垂直于隔离层的投影区域包含在隔离层所在的区域内。本发明还提供修调电阻的制备方法，提高了修调效率和测试精度。

主权项

1.一种修调电阻，其包括熔丝区，其特征在于：所述熔丝区包括衬底、形成在所述衬底上的氧化层、形成在所述氧化层上的隔离层、形成在部分所述衬底及部分所述氧化层及所述隔离层上的介质层、垂直形成在所述隔离层上及位于所述介质层之间的至少两个间隔设置的第一沟槽、位于所述第一沟槽上方的熔丝窗口及位于所述熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在所述介质层上的第一金属层、形成位于所述第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在所述第一金属层及所述第二金属层上的第三金属层、间隔形成在位于所述熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在所述第四金属层上的钝化层，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底部之间形成倒角，位于所述倒角位置的第三金属层的厚度小于位于所述修调窗口下方的第三金属层的厚度，所述熔丝窗口垂直于所述隔离层的投影区域包含在所述隔离层所在的区域内。